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文献连接：高温Thickness‐DependentCarrierTransportCharacteristicsofaNew2DElementalSemiconductor:BlackArsenic（Adv.Funct.Mater.,2018,DOI:10.1002/adfm.201802581）本文由材料人编辑部计算材料组杜成江编译供稿，高温材料牛整理编辑。此外，补贴B-As晶体也表现出相对良好的环境稳定性，少层砷基FET在空气中暴露一个月后仍能正常工作。

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