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首座(d)器件的保留特性曲线。电阻式随机存取存储器（RRAM）、零碳o垃类共磁性随机存取存储器（MRAM）、零碳o垃类共相变存储器（PCM）等新型NVM应用而生，表现出了永久性存储和读写速度快等优点，其中，忆阻器通过开关电阻状态来实现信息存储和输出，而纳米级尺寸使得其有可能用于高密度和大规模集成。

图4. Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器的基本特性(a-c)Ag/MoS2/Ag/MoS2/Ag忆阻器图示(a)及其室温I-V曲线(b)，站启(c)为其对数坐标下的I-V曲线。济南o近圾分(d)导电细丝的断裂过程。首座图9. GaSe基忆阻器的基本特性(a,b)Ag/GaSe/Ag器件的I-V曲线及50次数据循环曲线。

零碳o垃类共(e)聚合物辅助剥离MoS2图示及其I-V曲线。(c，站启d)线性及非线性导通态MLG/TaOy/Ta2O5–x/MLG器件的双极RS特性曲线。

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首座文献推荐：1.Self-AssembledNetworkedPbSDistributionQuantumDotsforResistiveSwitchingandArtifcialSynapsePerformanceBoostofMemristors.(Adv.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)2.MemristorwithAg-cluster-dopedTiO2filmsasartificialsynapseforNeuroinspiredcomputing.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)3.GrapheneOxideQuantumDotsBasedMemristorswithProgressiveConductionTuningforArtifcialSynapticLearning.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201803728)4.Designingcarbonconductivefilamentmemristordevicesformemoryandelectronicsynapseapplications.(Mater.Horiz.DOI:10.1039/C9MH01684H)5.TheRiseof2DPhotothermalMaterialsbeyondGrapheneforCleanWaterProduction.(Adv.Sci.DOI:10.1002/advs.201902236)。账户切换屏幕右上角始终显示活动的个人资料，零碳o垃类共让切换账户变得更加容易。

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